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| 四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料。本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量。通过电化学电容-电压测试法，实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关，而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少。通过瞬态荧光光谱测试方法，实验发现高生长速率下InGaAsP材料非辐射复合和界面复合占比减少，载流子输运效率得到了提升。最后，带隙组合为1.16 eV/0.88 eV的高生长速率InP基双结电池完成器件工艺后进行测试，其在AM0光照条件下开路电压为1 287 mV，平均电压损失为340 mV。 |
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(Shanghai Institute of Space-Power Sources， Shanghai 200245， China)
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