摘要: |
氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势,在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。本文综述了国内外GaN毫米波功率器件发展历史和低损耗栅结构、短沟道抑制技术、寄生电阻抑制技术等关键技术特点,综合分析了适合Ka-W波段GaN单片毫米波集成电路(MMIC)功放的架构和设计方法,提出了未来我国在高效率、高功率、高频带、多功能集成GaN毫米波芯片领域开展更深入研究的建议。 |
(1.National Engineering Research Center of Wide Band⁃Gap Semiconductor, Xidian University, Xi’an 710071,Shaanxi, China; 2.School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, Shaanxi, China)
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